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[发明专利]一种改善应力层应力作用的方法-CN201010534190.7无效
发明人：荆学珍;向阳辉;杨瑞鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善应力层应力作用的方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底正面形成有栅极、栅极侧壁隔离层，在所述衬底的背面同时形成有沉积氮化硅层；对所述栅极进行掺杂离子注入工艺；在所述衬底正面上淀积形成氧化硅层；去除位于所述衬底背面的沉积氮化硅层；在所述氧化硅层表面形成应力层；进行高温退火工艺。综上所述，本发明在衬底正面形成氧化硅层后，浸泡去除衬底背面的沉积氮化层，再沉积应力层并进行高温退火，从而防止沉积氮化层削弱应力层的应力作用，从而改善应力层的应力记忆作用。
一种改善应力作用方法

[实用新型]棒型保偏光纤-CN200820108679.6有效
发明人：赵红;李勤;魏国盛;隋宁菠 -专利权人：北京玻璃研究院
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一般的熊猫型和领结型的保偏光纤，要达到光纤陀螺等传感器的使用要求，其应力作用区的面积占光纤横截面积的比例一般大于10％。应力作用区过大，制造成本会明显增加且制造难度变大，还影响光纤的温度性能、弯曲性能、机械强度等指标。棒型保偏光纤横截面结构由外到里分别是基管层(11)、外包层(12)、应力作用区(13)、内包层(14)和芯层(15)，其特征在于：应力作用区(13)的形状为棒型；应力作用区(13)的面积占光纤横截面面积的比例本实用新型涉及的棒型保偏光纤的应力作用区的相对面积较小，与传统的椭圆包层型相比有应力作用区长短轴比例大、保偏性能高的优点。
棒型保偏光

[实用新型]具有消除应力作用的套管头部结构-CN201721499107.0有效
发明人：田捷元;郭卫华;马金华;于红 -专利权人：搏世因（北京）高压电气有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有消除应力作用的套管头部结构，所述导电管设在套管的中心位置且其外端设有内绝缘芯体，所述屏蔽筒通过卡槽卡接在内绝缘芯体上，所述应力消除装置一端通过紧固件与屏蔽筒连接，且其另一端与压板的一端连接
套管头部套管本实用新型绝缘芯体消除应力导电管屏蔽筒上端压板应力消除装置保障产品紧固连接热胀冷缩锁紧部件套管密封一端连接瓷外套紧固件卡槽卡联结座内绝缘螺纹穿入法兰外端芯体性变密封成功

[发明专利]一种确定锚拉桩锚索预应力值的方法及装置-CN202310544486.4在审
发明人：龚道平;吴典文;李慧丽;胡惠华;肖燕;贺耀北;胡新红 -专利权人：湖南省交通规划勘察设计院有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本申请涉及一种确定锚拉桩锚索预应力值的方法及装置，该方法包括：获取锚拉桩的锚索设计参数；根据锚索设计参数，计算不施加锚索预应力时的抗滑桩内力；依次从预设的预应力值范围内选择初始预应力，根据锚索设计参数以及不施加锚索预应力时的抗滑桩内力，计算各初始预应力作用下的锚索拉力，以及各锚索拉力作用下的抗滑桩内力和锚索处位移；根据各锚索拉力作用下的抗滑桩内力和锚索处位移，生成锚索拉力作用下的滑桩内力图；根据锚索拉力作用下的滑桩内力图，确定锚拉桩的锚索预应力值，以用于设计锚拉桩的锚索预应力，避免锚索预应力在选择上的主观性、随机性和盲目性，提高了锚拉桩的使用可靠性。
一种确定锚拉桩锚索预应力方法装置

[发明专利]一种应力作用下计算钛铝铌合金体系相变的方法-CN202310720525.1在审
发明人：王旭阳;杨劼人;赵玉柱;郝建刚;丁阳;李炜 -专利权人：华电电力科学研究院有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01N25/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种应力作用下计算钛铝铌合金体系相变的方法，其中，该方法包括根据晶胞参数，确定压应力与钛铝铌合金体系相变的第一关系，根据晶胞参数，确定拉应力与钛铝铌合金体系相变的第二关系，根据第一关系与第二关系，得出预设应力作用下钛铝铌合金体系的相变，其中，应力包括压应力和拉应力。解决了如何计算在应力作用下钛铝铌合金体系相变的类型和方向的问题，实现了在预设应力作用下能够有效预测钛铝铌合金体系相变的类型和方向。
一种应力作用计算钛铝铌合金体系相变方法

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201210285604.6有效
发明人：朱慧珑;许淼 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的应力作用层；应力作用层上的半导体鳍片，该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁；半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层；栅极介质层上的栅极导体层；以及半导体鳍片的两端处的源区和漏区，其中应力作用层在半导体鳍片下方与半导体鳍片平行延伸，使得应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。
finfet 及其制造方法

[发明专利]搅拌脱泡装置-CN200780101485.1无效
发明人：石井弘重 -专利权人：新基股份有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：可旋转地支承于上述支承构件；第一旋转驱动机构(18)，该第一旋转驱动机构(18)使上述旋转底座绕第一旋转轴线旋转；容器(20)，该容器(20)固定于旋转底座的周缘部从而能与旋转底座一起绕第一旋转轴线旋转；剪切应力作用构件(40)，该剪切应力作用构件(40)具有配置成与上述容器内壁的最大离心力作用区域接近并具有能绕第二旋转轴线(Y2)旋转的剪切应力作用部(40a)；以及第二旋转驱动机构(46)，该第二旋转驱动机构(46)使上述剪切应力作用构件的剪切应力作用部绕第二旋转轴线旋转从而对容器内的被处理物施加剪切应力，一边使旋转底座旋转从而使容器公转，一边在容器的公转轨道上使剪切应力作用部旋转(自转)，从而对容器内的被处理物施加剪切应力来进行被处理物的脱泡和搅拌
搅拌脱泡装置

[发明专利]干湿循环和拉应力作用下混凝土渗透系数测试装置及方法-CN201910722891.4在审
发明人：黄伟;陈荣;韦建刚;卞学海 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种干湿循环和拉应力作用下混凝土渗透系数测试装置及方法，其特征在于：其中干湿循环和拉应力作用下混凝土渗透系数测试装置包括作用于成型混凝土块的拉伸装置和作用于成型混凝土块的干湿循环渗透装置。该干湿循环和拉应力作用下混凝土渗透系数测试装置可以较为真实的反应在实际干湿循环作用下氯离子渗透行为。
干湿循环渗透系数测试装置拉应力混凝土成型混凝土拉伸装置渗透装置氯离子

[发明专利]力作用结构-CN201280005420.8有效
发明人：史蒂芬·艾斯波;R·邦加茨 -专利权人：鲁艾亚全球扣具股份公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： F16B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种旋转对称的力作用结构（12，112），其带有从轴向看呈星形的外轮廓或内轮廓，该力作用结构优选用于紧固件，其中星形的各个臂部（18，118）设计成尖拱，所述尖拱的外部尖端位于共同的外圆（22，122）上，其特征在于，与所述力作用结构轮廓（12，112）适配的配合件，尤其是钻头、套筒头或螺钉头具有这样适配的匹配轮廓，使得所述力作用结构（12，112）的侧面弧段（20，120）和配合件这样相互支承，使得产生平坦的加压表面，对于尤其是轮廓和匹配轮廓对应于根据本发明的力作用结构的形状的情况下，则轮廓和匹配轮廓的适配由此实现，即，外轮廓（12）的半径（20）与配属的内轮廓（112）的情况相比要小4％至12％，优选小6％至10％，更优选为约小8％至10％，同时在轮廓和匹配轮廓中，内圆（14，114）具有几乎相等的直径，弧段（20；120）的圆心绕力作用结构（12；112）的旋转轴（10；110）分布于该内圆
力作结构

[发明专利]“一”字型有源保偏光纤及其制备方法-CN201711027082.9在审
发明人：冯术娟;赵霞;周震华;缪振华;候树虎;徐律;卞新海;朱婷婷;张俊逸 -专利权人：江苏法尔胜光子有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明涉及一种“一”字型有源保偏光纤，其特征为它的横截面结构由外到里分别是基管层、外包层、应力作用区、内包层和芯层，应力作用区的形状为“一”字长条形，应力作用区的面积占光纤截面积的比例小于10%，外包层的长宽比为本发明具有应力作用区小、生产流程简单、低生产成本的优点。
字型有源偏光及其制备方法

[发明专利]应力作用的半导体器件及其制造方法-CN200910197078.6无效
发明人：王祯贞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种应力作用的半导体器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体器件；在半导体器件的表面形成第一应变层；在所述第一应变层的表面形成第二应变层......在第n应变层的表面形成第n+1应变层；所述各应变层的应力类型相同。与现有技术的单层应变层相比，本发明通过将多层应变层复合，形成于半导体器件上，使得应变层能够紧附于器件表面，避免在折角处以及应变层底部与器件表面之间产生裂缝或者空隙等缺陷，同时各层应变层共同作用，不降低整体诱发应力的大小
应力作用半导体器件及其制造方法

[发明专利]反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法-CN201710827591.3在审
发明人：谢亚丽;李润伟;詹清峰;王保敏;盛萍 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法，具体是：将反铁磁材料表面设置铁磁材料，二者间发生耦合作用；对反铁磁材料提供应力，在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化，由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化，通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。利用该表征方法可得到反铁磁材料在应力作用下的磁性变化规律，据此可通过调控应力实现反铁磁材料磁性的调控。
反铁磁材料磁性变化应力作用铁磁材料耦合作用反铁磁材料层多层膜结构铁磁材料层表面设置保护层衬底层力作用调控制备测量

[发明专利]一种模拟暂态脉冲电应力作用的自动化试验装置及方法-CN201910378746.9在审
发明人：庞磊;叶明天;陈炫宇;周晨晖;张乔根 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本公开揭示了一种模拟暂态脉冲电应力作用的自动化试验装置，包括：EMI滤波器、工频半波电流发生器、冲击电压发生器、控制系统和晶闸管。本公开还揭示了一种模拟暂态脉冲电应力作用的方法。本公开通过向处于反向恢复期的晶闸管施加电压脉冲，能够实现暂态脉冲电应力作用的模拟。
应力作用脉冲电暂态自动化试验装置晶闸管冲击电压发生器半波电流控制系统施加电压发生器脉冲工频

[发明专利]一种模拟暂态脉冲电应力作用的自动化试验装置及方法-CN201911170066.4在审
发明人：庞磊;叶明天;薛黎明;陈炫宇;张乔根;许建刚;谢天喜;陶风波;徐阳;赵军平;刘轩东;李晓昂;文韬 -专利权人：西安交通大学;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本公开揭示了一种模拟暂态脉冲电应力作用的自动化试验装置，包括：EMI滤波器、工频半波电流发生器、冲击电压发生器、控制系统和晶闸管。本公开还揭示了一种模拟暂态脉冲电应力作用的方法。本公开通过向处于反向恢复期的晶闸管施加电压脉冲，能够实现暂态脉冲电应力作用的模拟。
一种模拟脉冲应力作用自动化试验装置方法

[发明专利]“一”字型保偏光纤及其生产方法-CN200410065991.8有效
发明人：梁乐天;薛建军;康晓健;卞进良;肖天鹏 -专利权人：江苏法尔胜光子有限公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G02B6/16 文献下载
摘要：本发明涉及“一”字型保偏光纤，其结构由外到里分别是基管层、外包层、应力作用区、内包层和芯层，其特征为：应力作用区形状为“一”字长条形。本发明还涉及“一”字型保偏光纤的生产方法。本发明具有保偏光纤的应力作用区小及良好的保偏性能、环境温度适应性、耐弯曲性能和机械强度的优点。
字型偏光及其生产方法

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